DEI?為28VDC航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器和工業(yè)電源系統(tǒng)總線提供電壓浪涌保護(hù)器。按照RTCADO160,Z類:異常浪涌電壓(DC)技術(shù)水平,它能夠保障機(jī)器設(shè)備免遭電壓浪涌。欠壓鎖定功能模塊確保僅在最低標(biāo)準(zhǔn)安全可靠工作電壓技術(shù)水平下可以使用。
TI德州儀器?低功耗比較器提供了全系列的低功耗比較器產(chǎn)品,根據(jù)使用低功耗比較器能夠提高電池壽命。
DATAEL?提供諸多模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器企業(yè)產(chǎn)品,用作標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定微電路圖(SMD)模型工具,由國(guó)防安全物流局(DLA)監(jiān)督。DATAL已成為SMD供應(yīng)商超過三年。DATAEL企業(yè)產(chǎn)品根據(jù)國(guó)防部產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證工程項(xiàng)目繼續(xù)實(shí)現(xiàn)規(guī)定的性能指標(biāo)、質(zhì)量和安全可靠性技術(shù)水平。DATAELSMD企業(yè)產(chǎn)品已被證明是滿足行業(yè)內(nèi)最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)應(yīng)用規(guī)定的安全可靠解決方案。
IR HiRel?是世界上第一家碳化硅(SiC)分立電源供應(yīng)商。長(zhǎng)期性的市場(chǎng)份額和經(jīng)驗(yàn)使IR HiRel能夠提供高度安全可靠和行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC性能指標(biāo)。碳化硅和硅在原材料性能指標(biāo)上的差異性限制了實(shí)際硅單極子二極管(肖特基二極管)的制造,其導(dǎo)通電阻和漏電流高達(dá)100v到150v。在SiC原材料中,肖特基二極管能夠獲取更高的擊穿電壓。IR HiRel的碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合包含600V和650V至1200V肖特基二極管。
?并行接口指的是選用并行傳輸方式數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)接口。從最簡(jiǎn)單的并行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或ASIC芯片,如8255、6820,到更錯(cuò)綜復(fù)雜的SCSI或IDE并行接口,有幾十種。
Q-Tech? QPL晶體振蕩器是體現(xiàn)晶體或振蕩器能否符合非常性能卓越規(guī)定要求的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)之一。將其運(yùn)用于國(guó)防裝備和軍事產(chǎn)品的零部件,以符合這一標(biāo)準(zhǔn)是必不可少的。
?Renesas?電子電流量檢測(cè)放大器集成了外部結(jié)構(gòu)元器件(即增益設(shè)置電阻器)以簡(jiǎn)單化設(shè)計(jì)構(gòu)思并提供模擬電流電壓輸入輸出。
通信基站對(duì)國(guó)外芯片的依賴程度很高,其中大部分是美國(guó)芯片公司。目前,基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元(BBU)和射頻遙控單元(RRU)組成。通常,一個(gè)BBU對(duì)應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下,RRU芯片國(guó)產(chǎn)化程度低,對(duì)外依存度高,主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場(chǎng)景,通常是GaAs或Gan材料,而中國(guó)大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。
MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機(jī)制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
DEI產(chǎn)品能夠提供滿足DO160標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的浪涌保護(hù)系統(tǒng)零部件。DEI的所有的ARINC429組件和大部分離散到數(shù)字轉(zhuǎn)換器都具備此保護(hù)功能模塊。
比較器是一款較為常見的電子電路,如高速比較器。TI德州儀器高速比較器指的是比較器的響應(yīng)速度和處理速度,高速比較速度能夠?qū)崿F(xiàn)納秒級(jí)。TI德州儀器高速比較器用作比較兩個(gè)輸入數(shù)據(jù)信息,輸出是二進(jìn)制信號(hào)數(shù)據(jù)信息。
DATEL始終以高精密度、高可靠性的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)品推動(dòng)行業(yè)發(fā)展,廣泛應(yīng)用于軍事、醫(yī)療、航天、科研等行業(yè)市場(chǎng).
IR HiRel?公司的BCR線性驅(qū)動(dòng)芯片是驅(qū)動(dòng)器直流電壓源提供的LED燈柱的首選。BCR控制器適合于將電流量從10mA驅(qū)動(dòng)器到250mA。這就是為什么它們是低功率和中等功率LED的最佳解決方案。相對(duì)來(lái)說,大功率LED、線性控制器IC和外部功率電平的組合能夠提供最大的設(shè)計(jì)操作靈活性。
HOLT IC是航天工業(yè)集成電路的技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商。20多年來(lái),HOLT IC始終為全球商業(yè)服務(wù)和國(guó)防軍事用戶生產(chǎn)制造數(shù)據(jù)總線和顯示驅(qū)動(dòng)器。從F-16到a-350,HOLTIC是航空控制、導(dǎo)航、發(fā)動(dòng)機(jī)管理、通訊、安全設(shè)備和機(jī)載娛樂系統(tǒng)的核心。超過400家航空電子設(shè)備制造商依靠HOLT IC安全可靠的客戶服務(wù)記錄、無(wú)與倫比的產(chǎn)品質(zhì)量和成本效益及其卓越的技術(shù)應(yīng)用保持其產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先地位。
Q-TECH?實(shí)時(shí)時(shí)鐘晶體振蕩器具備低震動(dòng)、低相位噪聲和可選擇輸出頻率選項(xiàng),可以為大多數(shù)礦井下和其它高溫應(yīng)用領(lǐng)域提供精準(zhǔn)的時(shí)鐘定時(shí)。Q-TECH是世界領(lǐng)先的高端晶體振蕩器制造廠商。Q-TECH廣泛應(yīng) 用于航空航天、國(guó)防軍事、航空和高溫工程項(xiàng)目。Q-Tech產(chǎn)品包括:XO、TCXO、VCXO、OCXO、SAW、MCXO,產(chǎn)品滿足QPL和MIL-PRF-55310標(biāo)準(zhǔn)。
Renesas?提供使用范圍多方面的比較器產(chǎn)品,包括納米技術(shù)功率比較器、高速CMOS比較器和高精密四核比較器。Renesas的通用型比較器選用CMOS技術(shù)應(yīng)用,比較適用于低電壓、低功耗和快速響應(yīng)。還提供了用作超高壓應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展溫度操作的通用型比較器。
?在電子器件中,射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車電子學(xué)等)。
MICRON?的低功耗DRAM(LPDRAM)產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇,能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機(jī)和其它智能產(chǎn)品中收獲最大化利益。新型MICRONLPDDR5DRAM具備優(yōu)秀的功效和更快的數(shù)據(jù)信息訪問速度,這針對(duì)智能化AI和5g功能極為重要。MICRON的LPDDR5滿足最新的的JEDEC規(guī)范。與前幾代產(chǎn)品相比較,數(shù)據(jù)信息訪問速度提升了50%,功效提升了20%以上。
?DEI?為航空電子設(shè)備和工業(yè)生產(chǎn)市場(chǎng)提供30多個(gè)離散數(shù)字接口集成電路。這些機(jī)械設(shè)備接受6或8個(gè)并行執(zhí)行輸入。一些模型規(guī)范將并行執(zhí)行輸入轉(zhuǎn)換為SPI串行數(shù)據(jù)通道,并滿足ABD0100H(空客指令)。各種離散到數(shù)字產(chǎn)品包括do-160 D防雷保護(hù),以確保系統(tǒng)的使用壽命。
TI 德州儀器?提供了種類繁多的精密運(yùn)算放大器,以滿足汽車、工業(yè)、儀器儀表和航天應(yīng)用的需要。我們的設(shè)備是用先進(jìn)的技術(shù)制造的,可以實(shí)現(xiàn)μV電平偏置電壓,nV電平漂移,超低噪聲性能。
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