老头猛挺进小雯的体内视频,久久亚洲AV午夜福利精品一区,少妇饥渴偷公乱400章深夜书屋

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-12-30 08:51:50 瀏覽：103

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開(kāi)關(guān)電路。

　　關(guān)鍵特性：

　　連續(xù)漏極電流 (ID)：10A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復(fù)二極管：內(nèi)置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C，除非另有說(shuō)明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態(tài))

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續(xù))

　　連續(xù)漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結(jié)溫范圍，工作/存儲(chǔ) (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規(guī)格(TJ = 25°C，除非另有說(shuō)明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS)：10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導(dǎo) (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開(kāi)關(guān)時(shí)間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢(xún)立維創(chuàng)展。

上一篇: 電纜、MWD石油和天然氣等地球物理探測(cè)器Luxium

下一篇: CUI VCD40-D24-T512三輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器

亚洲中文无码卡通动漫野外,女厕厕露P撒尿八个少妇,扒开粉嫩小泬舌头伸进去,国产山东48老熟女嗷嗷叫白浆